Name: CSD19505KTT
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CSD19505KTT

Artikelnummer:

CSD19505KTT

Hersteller / Marke:

N/A

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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~~CSD19505KTT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD19505KTT.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	DDPAK/TO-263-3
Serie	NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7920 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	76 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	200A (Ta)
Grundproduktnummer	CSD19505
CSD19505KTT Einzelheiten PDF [English]	CSD19505KTT PDF - EN.pdf

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